一、總體方案與系統(tǒng)架構(gòu)
變壓器繞組直流電阻測試儀以高速微控制器/MCU為核心,集成程控恒流源、四線法測量前端、高速A/D轉(zhuǎn)換、繼電器切換矩陣、人機(jī)接口與保護(hù)/放電單元,實(shí)現(xiàn)從激勵、采樣到計(jì)算、存儲與輸出的閉環(huán)測量。為提升現(xiàn)場效率,可加入一鍵測量流程與三相不平衡率自動計(jì)算;為便于數(shù)據(jù)追溯,配置存儲與USB導(dǎo)出。核心要點(diǎn):
恒流源:輸出0.1–10 A分級可調(diào),電流穩(wěn)定度與紋波滿足低阻測量需求。
測量前端:采用四線法/四端子結(jié)構(gòu),配合前置放大與抗干擾濾波,確保mV級電壓精確測量。
切換矩陣:多路繼電器陣列實(shí)現(xiàn)繞組通道自動切換與測試序列編排。
人機(jī)界面:LCD/觸控、按鍵、狀態(tài)指示,支持測量模式與參數(shù)設(shè)置。
數(shù)據(jù)與通信:非易失性存儲、USB/串口導(dǎo)出,便于報(bào)告生成與歸檔。
保護(hù)/放電:反電勢吸收、過流/過壓/過熱保護(hù),測試結(jié)束自動
放電,保障人身與設(shè)備安全。

二、硬件設(shè)計(jì)與關(guān)鍵電路
程控恒流源
拓?fù)浣ㄗh:AC-DC整流濾波 → 穩(wěn)壓母線 → MOSFET/IGBT電流驅(qū)動 → 采樣/反饋閉環(huán);采用數(shù)字電位器/誤差放大器實(shí)現(xiàn)輸出電流細(xì)粒度調(diào)節(jié)與穩(wěn)流控制,輸出范圍覆蓋0.1–10 A以兼顧不同容量繞組(大電感場景需配合助磁/去磁策略)。
四線法測量前端
結(jié)構(gòu):兩條電流線供給恒流,兩條電壓線接高阻抗差分放大級,消除引線電阻與接觸電阻影響;前端加入低通濾波/屏蔽抑制現(xiàn)場電磁干擾。
信號采集與A/D
電流采樣:分流器或霍爾電流傳感器,將大電流轉(zhuǎn)為可測電壓;電壓采樣:差分放大后送入高速A/D,保證動態(tài)范圍與分辨率。
切換與通道控制
繼電器矩陣完成繞組相別/分接/高低壓側(cè)切換;需設(shè)計(jì)防誤觸與互鎖邏輯,確保測試路徑與安全。
保護(hù)與放電
反電勢保護(hù):測試結(jié)束或異常斷線時(shí),通過放電電阻+二極管回路泄放繞組儲能;加入過流、過壓、過熱與斷線/短路檢測,觸發(fā)關(guān)斷與告警。
供電與結(jié)構(gòu)
供電:工頻AC輸入經(jīng)隔離/濾波/穩(wěn)壓為控制與模擬前端供電;機(jī)箱采用絕緣與防震設(shè)計(jì),接口具備防誤插與加固結(jié)構(gòu)。
三、測量原理與算法流程
四線法測阻
施加恒流I,測得電壓V,計(jì)算電阻R=V/I;四線法可有效抑制引線/接觸電阻,適合mΩ–Ω級低阻測量。
動態(tài)與快速測量
大電感繞組充電時(shí)間長,采用“充電→穩(wěn)態(tài)判據(jù)→采樣→放電”流程;穩(wěn)態(tài)判據(jù)可基于電流變化率/電壓波動閾值;必要時(shí)引入助磁法/去磁法縮短穩(wěn)定時(shí)間。
數(shù)據(jù)處理與判定
對采樣數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)字濾波/中值平均降噪;計(jì)算三相不平衡率與統(tǒng)計(jì)指標(biāo)(均值、標(biāo)準(zhǔn)差);支持自動量程/自動電流切換與異常點(diǎn)剔除。
一鍵測量流程(可選)
一鍵觸發(fā)后自動完成:高壓側(cè)三相測量→不平衡率計(jì)算→放電→低壓側(cè)三相測量→不平衡率計(jì)算→結(jié)果匯總顯示/存儲/打印。
四、軟件架構(gòu)與關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)
任務(wù)劃分
驅(qū)動層:恒流源控制、A/D采集、繼電器矩陣、存儲/通信、人機(jī)輸入。
算法層:濾波/擬合、穩(wěn)態(tài)判據(jù)、R計(jì)算、不平衡率、溫度換算(若具備溫度測量)。
應(yīng)用層:測量流程編排、狀態(tài)機(jī)、異常與保護(hù)、報(bào)表/導(dǎo)出、自檢/校準(zhǔn)。
核心流程
初始化→自檢/校準(zhǔn)→參數(shù)設(shè)置→通道選擇→恒流輸出→穩(wěn)態(tài)判據(jù)→采樣計(jì)算→放電→結(jié)果存儲/顯示→下一通道/結(jié)束。
校準(zhǔn)與自檢
提供零點(diǎn)/增益校準(zhǔn)與標(biāo)準(zhǔn)電阻自檢功能,支持用戶定期驗(yàn)證;關(guān)鍵參數(shù)掉電保存,支持版本/配置回讀。
人機(jī)與數(shù)據(jù)
支持多語言/多單位顯示、歷史數(shù)據(jù)查詢、USB/串口導(dǎo)出與打?。唤缑嫣峁?strong>實(shí)時(shí)曲線/進(jìn)度指示與告警提示。
五、調(diào)試、測試與安全規(guī)范
校準(zhǔn)與驗(yàn)證
變壓器繞組直流電阻測試儀使用標(biāo)準(zhǔn)電阻器進(jìn)行多點(diǎn)校準(zhǔn)(含低阻段),驗(yàn)證線性度與重復(fù)性;對比高精度表計(jì)/電橋,確認(rèn)誤差指標(biāo)滿足設(shè)計(jì)與現(xiàn)場要求。
功能與性能測試
驗(yàn)證0.1–10 A各檔穩(wěn)流精度、四線法抗引線誤差能力、通道切換正確性與抗干擾性能;進(jìn)行一鍵測量與三相不平衡率一致性測試。
可靠性與EMC
進(jìn)行高/低溫、濕熱、振動、浪涌/靜電等環(huán)境與EMC試驗(yàn);完善過流/過壓/過熱/反電勢保護(hù)策略與故障自恢復(fù)。
現(xiàn)場安全
嚴(yán)格執(zhí)行停電、驗(yàn)電、接地流程;測試線夾與端子確保可靠接觸;測試結(jié)束確認(rèn)放電完成后再拆線;在通風(fēng)干燥環(huán)境下操作,避免潮濕與高溫。
附:關(guān)鍵指標(biāo)參考與選型建議
電流輸出:0.1–10 A分級可調(diào),紋波與穩(wěn)定度滿足低阻測量;恒流源建議采用數(shù)字電位器+高精度運(yùn)放+大功率MOSFET實(shí)現(xiàn)閉環(huán)穩(wěn)流。
測量方法:優(yōu)先四線法/四端子,配合前置放大與抗干擾設(shè)計(jì),提高mV級電壓測量精度與重復(fù)性。
通道與自動化:配置繼電器切換矩陣與一鍵測量流程,自動完成高/低壓側(cè)多相測量與三相不平衡率計(jì)算,減少換線與人工干預(yù)。
數(shù)據(jù)與保護(hù):內(nèi)置存儲與USB導(dǎo)出,完善反電勢/過流/過壓/過熱保護(hù)與自動放電,確保人身與設(shè)備安全。